Специалисты Института прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН) объявили о разработке первой отечественной установки литографии для производства микроэлектроники по современным технологическим процессам. Пока что проект находится на стадии «прототип прототипа», но уже удалось получить отдельные изображения на подложках с разрешением до предельных 7 нм, что существенно превосходит решения, которые сейчас производятся в России в промышленных масштабах.
По словам авторов проекта, на данный момент в РФ массово могут производить электронику по 65-нанометровому техпроцессу, но в основном это и вовсе 90 нм и более. Что же касается новой установки, то появление готового к применению продукта ожидается в течение 6 лет.
Согласно плану исследователей, в 2024 году должна быть готова «альфа-машина». В данном виде установка станет рабочим оборудованием и будет рассчитана на проведение полного цикла операций. На этом этапе упор будет сделан не на высокую скорость производства или максимальное разрешение, а на полноценную работу всех систем.
Второй этап намечен на 2026-й с выпуском «бета-машины». На этом этапе будет повышена точность и скорость производства. Параллельно с этим необходимо будет интегрировать установку в реальные технологические процессы и отладить, обновив соответствующее оборудование для других этапов производства. Третий этап, намеченный на 2026-2028 годы, предусматривает установку более мощного источника излучения с улучшением других показателей и возможность производить 7-нм решения.
Отмечается, что достижение такого результата с нуля за шесть лет — большой шаг вперёд. Большинство микроэлектронных компонентов, используемых сейчас в автомобильной, космической и промышленной сферах, находится в пределах технологических норм 65–360 нм.
Новый подход к мониторингу к сбору, анализу и графической визуализации массива данных нужен для автоматического измерения параметров окружающей среды на обширных площадях и на различных высотах с временными интервалами от нескольких часов до нескольких суток.
