Исследователи из Массачусетского технологического института реализовали уникальное магнитное состояние в материале с помощью света. По их словам, это может произвести революцию в технологиях памяти и хранения данных следующего поколения, открыв путь к созданию чипов, намного превосходящих современные стандарты.
В обычных электромагнитных материалах (ферромагнетиках) все атомные спины ориентированы в одном направлении. Это облегчает управление их магнитным полем. Антиферромагнетики устроены сложнее и обладают особым паттерном ориентации спинов. Это свойство делает их устойчивыми к случайным магнитным воздействиям, что можно использовать в чипах памяти для безопасного хранения данных. Но проблема в том, что из-за этого же свойства материал плохо поддаётся подконтрольному переключению состояний между нулём и единицей. Профессор Нух Гедик предложил исправить это с помощью лазера.
Для тестирования метода учёные использовали соединения железа, фосфора и серы (FePS₃) — это антиферромагнетик, который переходит в немагнитное состояние при температуре около -155 °C. Его облучили терагерцевым лазером и обнаружили, что в комбинации с заморозкой до указанной температуры материал переходит в новое магнитное состояние парамагнетика, причём оно сохраняется на протяжении 2,5 мс после отключения лазера.
Смысл эксперимента заключается в том, что это состояние решает ранее названную проблему и открывает возможность для создания более эффективного типа памяти. Другие учёные уже проводили подобные эксперименты, но материал возвращался к исходным свойствам сразу после выключения лазера, так что результат в 2,5 мс выглядит многообещающим. В теории открытие может привести к разработке технологии создания быстрых и ёмких накопителей на основе FePS₃.
